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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR872DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR872DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR872DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 53.7A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) 。您可以下载SIR872DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR872DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR872DP-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理:该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)。它能够高效地进行电流切换,降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动:在电动工具、家用电器以及工业自动化系统中的电机控制电路里,SIR872DP-T1-GE3可以作为开关元件来实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车、便携式电子设备等场合下的电池保护与管理。通过快速响应过流、短路等异常情况,确保电池组的安全运行。 4. 通信基础设施:基站、路由器等网络设备内部的电源供应部分会使用此类MOSFET以保证稳定可靠的电力传输。 5. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和平板电视等产品内部的充电电路、背光驱动等方面也常见到它的身影。 6. 汽车电子:特别是在新能源汽车领域,该器件可用于车载充电器、逆变器、LED照明系统等多个子系统内。 7. 太阳能光伏逆变器:帮助将太阳能板产生的直流电转换为交流电输入电网或直接供给家庭用电。 总之,由于SIR872DP-T1-GE3具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压特性及良好的热性能,因此非常适合需要高效能、小尺寸解决方案的应用场景。同时,其紧凑的封装形式也有利于节省PCB空间,在设计时提供更大的灵活性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SIR872DP-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2130pF @ 75V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
功率-最大值 | 104W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 53.7A (Tc) |