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Datasheet下载- 型号： SIR870ADP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SIR870ADP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR870ADP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR870ADP-T1-GE3价格参考￥7.76-￥10.45。VishaySIR870ADP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR870ADP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR870ADP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR870ADP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电源管理和信号切换场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET常用于开关电源中的同步整流或降压/升压转换器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高效率。 - 电池管理系统：在便携式设备中，如笔记本电脑、智能手机和平板电脑，MOSFET用于控制电池充电和放电路径，确保安全和高效的电力传输。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电动工具、无人机和家用电器中，MOSFET用于驱动电机，提供精确的速度控制和高效的能量转换。 - 步进电机驱动：在工业自动化和机器人技术中，MOSFET用于控制步进电机的电流，确保平稳运行和高精度定位。 3. 负载开关 - 电源通断控制：在消费电子和工业设备中，MOSFET用作负载开关，实现快速、可靠的电源通断控制，保护电路免受过载和短路的影响。 - 热插拔保护：在服务器和通信设备中，MOSFET用于热插拔保护电路，防止插入或拔出模块时产生浪涌电流。 4. 信号切换 - 高速信号切换：在通信和数据传输系统中，MOSFET用于高速信号切换，确保信号的完整性和可靠性。 - 音频信号切换：在音响设备和多媒体系统中，MOSFET用于切换不同的音频输入源，避免噪声干扰。 5. 汽车电子 - 车载电源系统：在电动汽车和混合动力汽车中，MOSFET用于电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器，确保高效的能量转换和稳定的电源供应。 - 车身控制系统：如车窗升降、座椅调节等，MOSFET用于驱动执行器，提供可靠的操作。 总之，SIR870ADP-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效功率转换和信号切换的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8MOSFET 100V 6.6mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR870ADP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR870ADP-T1-GE3SIR870ADP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 25.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2866pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR870ADP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 6.6 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 68 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 60 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-thunderfet/1150 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxADP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR870ADP-GE3 |
