ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIR698DP-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIR698DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR698DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR698DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR698DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 7.5A（Tc） 3.7W（Ta），23W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR698DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR698DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIR698DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：SIR698DP适用于降压、升压或升降压转换器中的开关元件，具有低导通电阻（Rds(on)）特性，可提高效率并降低功耗。 - 负载开关：用于控制电路中不同负载的开启和关闭，适合需要快速响应和低损耗的应用。 - 电池管理：在便携式设备中用作电池保护开关或充电路径管理。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：可用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机。 - H桥电路：作为H桥的一部分，用于实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 信号切换 - 高速信号切换：由于其快速开关速度和低电容特性，适合用于高频信号的切换。 - 音频信号切换：在音频设备中用作信号通道切换，确保低失真和高保真度。 4. 保护电路 - 过流保护：通过检测电流并限制过流情况，保护下游电路免受损害。 - 短路保护：利用MOSFET的限流特性，在发生短路时迅速切断电流。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于电源管理和外围设备接口。 - 笔记本电脑：在电池管理系统和外设供电中发挥作用。 - 智能家居设备：如智能灯泡、插座等，用于电源控制和信号切换。 6. 工业应用 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号传输。 - 数据通信设备：在路由器、交换机等设备中用作电源管理和信号切换。 特性总结 SIR698DP-T1-GE3具有以下关键特性： - 低导通电阻：典型值为4.5mΩ（Vgs=10V），有助于减少功率损耗。 - 高电流能力：最大连续漏极电流可达70A（Tc=25°C），适合大电流应用。 - 小型封装：采用PowerPAK® 1212-8L封装，节省PCB空间。 - 快速开关速度：支持高频操作，降低开关损耗。 综上所述，SIR698DP-T1-GE3适用于各种需要高效、低损耗和高可靠性的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8MOSFET 100V 7.5A 23W 195mOhm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR698DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR698DP-T1-GE3SIR698DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 23 W |
| Pd-功率耗散 | 23 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 230 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 230 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 195 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR698DP-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 23W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 230 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 7.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR698DP-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
