Datasheet下载- 型号： SIR688DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR688DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR688DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR688DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR688DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR688DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIR688DP-T1-GE3是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗，提高效率。 - 在电池充电电路中，作为同步整流或负载开关使用。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，提供高效的开关性能和良好的耐热特性。 - 在无人机、电动工具和家用电器（如风扇、水泵）中作为功率开关。 3. 负载切换与保护 - 在汽车电子中，用于负载切换、继电器替代或过流保护。 - 适用于USB端口的电源开关，支持快速启停和过载保护。 4. 通信设备 - 在基站、路由器和交换机等通信设备中，用作功率分配开关或信号路径控制。 5. 消费类电子产品 - 在笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，实现高效能的电源分配和管理。 - 用于音频放大器的输出级，提供低失真和高效率。 6. 工业应用 - 在工业自动化设备中，作为固态继电器或功率控制器，用于精确控制负载电流。 - 适用于LED驱动器，提供稳定且高效的电流调节。 SIR688DP-T1-GE3凭借其出色的电气特性和可靠性，成为许多高性能电子系统中的关键元件。其小型化的封装（如TrenchFET® Gen III技术）也使其非常适合空间受限的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8MOSFET 60V 3.5mOhm@10V 60A N-Ch G-IV |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR688DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR688DP-T1-GE3SIR688DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 20.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.3 V to 2.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.3 V to 2.7 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3105pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 70 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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