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  • 型号: SIR664DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIR664DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIR664DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR664DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR664DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 60A(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR664DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR664DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SIR664DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。该型号具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种应用场景。

 1. 电源管理
SIR664DP-T1-GE3常用于电源管理电路中,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等。其低导通电阻(Rds(on))能够减少传导损耗,提高效率。在这些应用中,MOSFET作为开关元件,控制电流的通断,确保电源系统稳定高效地工作。

 2. 电机驱动
该MOSFET也适用于电机驱动电路,尤其是在小型电机或步进电机的驱动中。它可以通过PWM(脉宽调制)信号精确控制电机的速度和方向,同时其快速开关特性有助于减少电磁干扰(EMI),提高系统的可靠性。

 3. 电池管理系统
在电池管理系统(BMS)中,SIR664DP-T1-GE3可以用于电池充放电保护电路。它能够在过流、短路或过温等异常情况下迅速切断电流路径,保护电池和其他电路元件免受损坏。

 4. 工业自动化
在工业自动化领域,该MOSFET可用于驱动传感器、执行器和其他负载。其高耐压能力和快速响应速度使其能够适应复杂的工业环境,确保设备的稳定运行。

 5. 消费电子产品
SIR664DP-T1-GE3还广泛应用于消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它可以用作负载开关,控制不同模块的供电状态,延长电池续航时间,同时保持设备的小型化设计。

 6. 汽车电子
在汽车电子领域,该MOSFET可用于车载充电器、LED照明驱动、电动助力转向系统(EPS)等。其良好的温度特性和可靠性使其能够在恶劣的汽车环境中长期稳定工作。

总之,SIR664DP-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子应用,尤其适合需要高效、快速响应和高可靠性的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8MOSFET 60V 6mOhm@10V 60A N-Ch G-IV

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR664DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SIR664DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

Qg-GateCharge

12 nC

Qg-栅极电荷

12 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.3 V to 2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.3 V to 2.5 V

上升时间

12 ns

下降时间

7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1750pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIR664DP-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

24 ns

功率-最大值

50W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET Power MOSFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK-SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

70 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

系列

SIRxxxDP

通道模式

Enhancement

配置

Single

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