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  • 型号: SIR642DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIR642DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR642DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR642DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR642DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR642DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SIR642DP-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4155pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

84nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 毫欧 @ 15A,10V

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIR642DP-T1-GE3DKR

功率-最大值

83W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

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