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Datasheet下载- 型号： SIR474DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR474DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR474DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR474DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） 。您可以下载SIR474DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR474DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR474DP-T1-GE3是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压（V(BR)DSS）和快速开关特性，适用于需要高效能、低损耗的电路设计。 应用场景： 1. 电源管理： - 该MOSFET可用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器等电源管理系统。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高效率。 - 在电池充电电路中，SIR474DP-T1-GE3可以用于控制充电电流和电压，确保电池安全充电。 2. 电机驱动： - 在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动中，该MOSFET可以用作半桥或全桥驱动电路中的开关元件，实现电机的正反转和调速控制。 - 其快速开关特性和低导通电阻有助于降低发热，提高电机驱动系统的效率和可靠性。 3. 负载切换： - 在消费电子和工业控制领域，SIR474DP-T1-GE3可以用作负载开关，控制大电流负载的通断，如LED照明、加热元件等。 - 其内置的ESD保护功能增强了器件的抗静电能力，提高了系统的稳定性。 4. 通信设备： - 在基站、路由器和其他通信设备中，该MOSFET可以用于电源管理和信号调理电路，确保设备在不同工作条件下的稳定运行。 - 其紧凑的封装形式（TO-252(DPAK)）使其适合于空间受限的应用场合。 5. 汽车电子： - 在汽车电子系统中，如电动助力转向（EPS）、空调控制系统和车载充电器等，SIR474DP-T1-GE3可以提供高效的功率转换和控制功能。 - 其良好的热性能和可靠性满足了汽车应用对高温环境和长期稳定性的要求。 总之，SIR474DP-T1-GE3凭借其优异的电气特性和可靠性，适用于多种高效能、低损耗的电力电子应用，特别是在需要快速开关和低导通电阻的场景中表现尤为出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8MOSFET 30V 20A 29.8W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68996 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR474DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR474DP-T1-GE3SIR474DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
| Pd-功率耗散 | 3.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 985pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 29.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 10 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SIR474DP-GE3 |
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