图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: SIR464DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

SIR464DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIR464DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR464DP-T1-GE3价格参考¥4.32-¥6.78。VishaySIR464DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR464DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR464DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的SIR464DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括以下几个方面:

 1. 开关电源(SMPS)
   - SIR464DP-T1-GE3具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,非常适合用于开关电源中的功率转换电路。例如,在DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电池充电器中作为主开关或同步整流器件。

 2. 电机驱动与控制
   - 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,实现高效的PWM(脉宽调制)控制。其快速开关速度和低损耗特性有助于提高电机运行效率并减少发热。

 3. 负载开关
   - 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,SIR464DP-T1-GE3可用作负载开关,用于动态管理不同模块的供电状态,从而降低功耗并延长电池寿命。

 4. 电池保护电路
   - 它适用于锂离子电池或其他可充电电池组的过流、短路保护电路。通过快速响应异常电流条件,有效防止电池损坏或过热。

 5. 音频放大器
   - 在D类音频放大器中,这款MOSFET可以用作输出级开关元件,提供高效且低失真的信号放大。

 6. 汽车电子
   - 在汽车应用中(如LED照明驱动、车载信息娱乐系统等),SIR464DP-T1-GE3能够承受较高的电压波动,并保持稳定的工作性能。

 7. 通信设备
   - 该MOSFET还适用于基站、路由器等通信设备中的电源管理模块,确保设备在高频率下的高效运作。

综上所述,SIR464DP-T1-GE3凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及通信领域等多种场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR464DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SIR464DP-T1-GE3SIR464DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

5.2 W

Pd-功率耗散

5.2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

16 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3545pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

95nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.1 毫欧 @ 15A,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIR464DP-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

48 ns

功率-最大值

69W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

75 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

系列

SIRxxxDP

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SIR464DP-GE3

推荐商品

型号:NVTFS4C08NTWG

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXTN62N50L

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FQP20N06TSTU

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DMG6402LVT-7

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXTP08N100D2

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DMN5L06TK-7

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AUIRF6215

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXTR16P60P

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
SIR464DP-T1-GE3 相关产品

NP90N04VUK-E1-AY

品牌:Renesas Electronics America

价格:

BUZ11_R4941

品牌:ON Semiconductor

价格:

BUK7Y21-40EX

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

BUK7E4R3-75C,127

品牌:NXP USA Inc.

价格:

BSZ097N04LSGATMA1

品牌:Infineon Technologies

价格:

AOT11N60L

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

IRF3805SPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:¥10.40-¥10.40

SPD50P03LGBTMA1

品牌:Infineon Technologies

价格: