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  • 型号: SIR460DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIR460DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR460DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR460DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR460DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR460DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的SIR460DP-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

1. 电源管理:该器件常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块中,作为高效的开关元件。它能够快速切换以控制电流流向,同时保持低导通电阻(Rds(on)),从而减少能量损耗。

2. 电机驱动与控制:适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,用于实现速度调节、方向控制等功能。凭借其出色的电流处理能力和耐压特性,可以稳定地驱动负载。

3. 电池保护及充电管理:在便携式电子设备(如笔记本电脑、智能手机和平板电脑)的电池管理系统中,用作充放电路径的控制开关,确保安全可靠的电池操作。

4. 负载开关:在各种消费类电子产品中充当负载开关角色,当系统需要关闭某些非必要功能时,可通过此MOSFET切断相关电路供电,达到节能目的。

5. 信号放大与缓冲:虽然主要用于功率应用,但在某些情况下也可以用作信号放大器或缓冲器,特别是在需要高输入阻抗和低输出阻抗的应用场合。

6. 逆变器和太阳能微逆变器:参与构建逆变器的核心部分,将直流电转化为交流电输出,广泛应用于光伏能源系统中。

7. 汽车电子:可用于车载电子设备中的多种开关和调节功能,例如车窗升降器、座椅加热器等辅助系统的控制。

总之,SIR460DP-T1-GE3因其卓越的电气性能和可靠性,非常适合于需要高效能功率转换和精确控制的各种工业、商业及消费类产品设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET 30V 40A 48W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR460DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SIR460DP-T1-GE3SIR460DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

5 W

Pd-功率耗散

5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

16 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2071pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

54nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.7 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIR460DP-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

28 ns

功率-最大值

48W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

4.9 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

60 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

60 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Tc)

系列

SIRxxxDP

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SIR460DP-GE3

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