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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR460DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR460DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR460DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR460DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR460DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIR460DP-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理:该器件常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块中,作为高效的开关元件。它能够快速切换以控制电流流向,同时保持低导通电阻(Rds(on)),从而减少能量损耗。 2. 电机驱动与控制:适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,用于实现速度调节、方向控制等功能。凭借其出色的电流处理能力和耐压特性,可以稳定地驱动负载。 3. 电池保护及充电管理:在便携式电子设备(如笔记本电脑、智能手机和平板电脑)的电池管理系统中,用作充放电路径的控制开关,确保安全可靠的电池操作。 4. 负载开关:在各种消费类电子产品中充当负载开关角色,当系统需要关闭某些非必要功能时,可通过此MOSFET切断相关电路供电,达到节能目的。 5. 信号放大与缓冲:虽然主要用于功率应用,但在某些情况下也可以用作信号放大器或缓冲器,特别是在需要高输入阻抗和低输出阻抗的应用场合。 6. 逆变器和太阳能微逆变器:参与构建逆变器的核心部分,将直流电转化为交流电输出,广泛应用于光伏能源系统中。 7. 汽车电子:可用于车载电子设备中的多种开关和调节功能,例如车窗升降器、座椅加热器等辅助系统的控制。 总之,SIR460DP-T1-GE3因其卓越的电气性能和可靠性,非常适合于需要高效能功率转换和精确控制的各种工业、商业及消费类产品设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET 30V 40A 48W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR460DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIR460DP-T1-GE3SIR460DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 5 W |
Pd-功率耗散 | 5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2071pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.7 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SIR460DP-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 28 ns |
功率-最大值 | 48W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 4.9 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 60 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 60 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |
系列 | SIRxxxDP |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SIR460DP-GE3 |