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Datasheet下载- 型号： SIR440DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR440DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR440DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR440DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR440DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR440DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR440DP-T1-GE3是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SIR440DP-T1-GE3常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC converters）中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其能够在高电流应用中保持较低的功耗，提高整体效率。此外，它在降压、升压和反激式变换器中表现优异，能够有效减少发热并提升系统的可靠性。 2. 电机驱动 在电机控制领域，这款MOSFET可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。其快速开关特性和低损耗使得它非常适合高频PWM（脉宽调制）控制，确保电机运行平稳且高效。 3. 电池管理系统 SIR440DP-T1-GE3也适用于电池管理系统（BMS），特别是在锂离子电池组中。它可以作为充放电保护电路中的关键元件，通过精确控制电流流动来防止过充、过放及短路等故障，保障电池的安全性和寿命。 4. 消费电子产品 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，这款MOSFET用于负载开关、USB充电端口保护以及音频放大器等场景。它的紧凑封装（TO-252 (DPAK)）有助于节省空间，同时提供可靠的电气性能。 5. 工业自动化 工业控制系统中的传感器接口、继电器驱动和信号调理电路也会用到SIR440DP-T1-GE3。它能够在恶劣环境下稳定工作，并具备良好的抗干扰能力，确保工业设备的正常运行。 总之，SIR440DP-T1-GE3凭借其出色的电气参数和耐用性，成为众多电力电子应用的理想选择，特别适合需要高效能、低功耗和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8MOSFET 20V 60A 104W 1.55mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR440DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR440DP-T1-GE3SIR440DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 6.25 W |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 29 ns |
| 下降时间 | 48 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.55 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR440DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 81 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.55 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 110 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 60 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/TrenchFET_N.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR440DP-GE3 |
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