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SIR426DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR426DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR426DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR426DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 30A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR426DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR426DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR426DP-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET,其应用场景广泛,主要适用于需要高效开关和低导通电阻的电力电子系统。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): SIR426DP-T1-GE3具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于开关电源中的功率级开关,例如降压、升压或反激式转换器。 2. 直流电机驱动: 由于其低导通电阻和高电流能力,这款MOSFET可用于驱动小型到中型直流电机,特别是在电池供电设备中,能够减少功耗并提高效率。 3. 负载切换: 在消费类电子产品中,该器件常用于实现负载的快速切换,例如USB端口保护、电源路径管理等。 4. 电池管理系统(BMS): 适用于锂电池或其他可充电电池的充放电控制,提供高效的电流开关和保护功能。 5. 逆变器和太阳能微逆变器: 可用于小型逆变器中,支持将直流电转换为交流电,满足家用或工业应用需求。 6. LED驱动器: 在LED照明应用中,这款MOSFET可以用作开关元件,以调节电流并确保LED亮度稳定。 7. 便携式设备: 适用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理模块,提供高效的功率转换和管理。 8. 汽车电子: 在汽车应用中,如车载充电器、电动座椅控制单元或车灯控制系统中,这款MOSFET可以承受较高的电流和电压波动。 SIR426DP-T1-GE3的封装形式为TO-252 (DPAK),具备良好的散热性能,使其在高功率密度的应用场景中表现出色。同时,其低栅极电荷和快速开关速度有助于降低开关损耗,提升整体系统的效率。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8MOSFET 40V 30A 41.7W 10.5mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR426DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIR426DP-T1-GE3SIR426DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 41.7 W |
Pd-功率耗散 | 41.7 W |
Qg-GateCharge | 9.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 9.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.5 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SIR426DP-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
功率-最大值 | 41.7W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 43 S |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |
系列 | SIRxxxDP |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SIR426DP-GE3 |