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  • 型号: SIR424DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIR424DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIR424DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR424DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR424DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 30A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR424DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR424DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

1.25 nF

描述

MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8MOSFET 20V 5.5mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

30 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR424DP-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SIR424DP-T1-GE3SIR424DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

4.8 W

Pd-功率耗散

4.8 W

Qg-栅极电荷

22 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

上升时间

12 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1250pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.5 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIR424DP-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

23 ns

功率-最大值

41.7W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

80 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

系列

SIRxxxDP

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

SIR424DP-GE3

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