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  • 型号: SIR422DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIR422DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR422DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR422DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 5W(Ta),34.7W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR422DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR422DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8MOSFET 40V 40A N-CH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

40 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR422DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIR422DP-T1-GE3SIR422DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

34.7 W

Pd-功率耗散

34.7 W

Qg-GateCharge

16.1 nC

Qg-栅极电荷

16.1 nC

RdsOn-漏源导通电阻

6.6 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.2 V to 2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2 V to 2.5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1785pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

48nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.6 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIR422DP-T1-GE3DKR

功率-最大值

34.7W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

6.6 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

70 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

40 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Tc)

系列

SIRxxxDP

配置

Single

零件号别名

SIR422DP-GE3

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