ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIR416DP-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIR416DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR416DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR416DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR416DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR416DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR416DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR416DP-T1-GE3是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电压调节模块（VRM）等应用。它能够高效地进行电流切换，减少能量损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，SIR416DP-T1-GE3可用于驱动小型电机。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低发热，延长设备使用寿命。 3. 电池管理系统（BMS）：在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件用于电池充放电控制，确保电池安全和高效运行。 4. 负载开关：作为负载开关，它可以快速响应负载变化，保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。其低栅极电荷特性使其适合高频开关应用。 5. LED驱动：在LED照明系统中，该MOSFET可以精确控制电流，保证LED亮度稳定，并且具有良好的散热性能，适用于大功率LED灯具。 6. 通信设备：在网络通信设备、基站和服务器中，SIR416DP-T1-GE3用于电源管理和信号调理，确保设备稳定可靠运行。 7. 消费类电子产品：例如USB充电器、适配器和其他小型电子设备中，该器件提供高效的电源转换和保护功能。 总之，SIR416DP-T1-GE3凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多领域中发挥着重要作用，尤其适合需要高效、紧凑和低成本解决方案的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8MOSFET 40V 50A 69W 3.8mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR416DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR416DP-T1-GE3SIR416DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.2 W |
| Pd-功率耗散 | 5.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 85 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3350pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR416DP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 96 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR416DP-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
