ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIR414DP-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIR414DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR414DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR414DP-T1-GE3价格参考￥4.19-￥4.19。VishaySIR414DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR414DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR414DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIR414DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类型。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 SIR414DP-T1-GE3广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电电路等。该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流下保持低损耗，从而提高电源转换效率，减少发热，延长设备使用寿命。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，SIR414DP-T1-GE3可以用于控制电机的启停、转向和调速。它能够承受较大的电流波动，并且响应速度快，适合应用于小型直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）的驱动电路中。 3. 负载开关 该MOSFET可以用作负载开关，控制电路中的电流流向。它能够快速切换状态，确保在需要时切断或接通负载，保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。常见的应用包括USB端口保护、智能插座等。 4. 信号放大与缓冲 在某些信号处理电路中，SIR414DP-T1-GE3可以用于信号放大或缓冲。由于其高输入阻抗和低输出阻抗特性，它可以有效地隔离前后级电路，防止信号失真，同时提供足够的驱动能力。 5. 逆变器与变频器 SIR414DP-T1-GE3也适用于逆变器和变频器的设计。它可以在高频条件下工作，适应复杂的波形变换需求，广泛应用于太阳能逆变器、工业自动化设备等场合。 6. 便携式电子设备 由于其小尺寸（采用TO-252封装）和低功耗特性，SIR414DP-T1-GE3非常适合用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它可以帮助实现高效的电源管理和散热控制，提升设备性能。 总的来说，SIR414DP-T1-GE3凭借其出色的电气性能和可靠性，成为多种电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8MOSFET 40V 50A 83W 2.8mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR414DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR414DP-T1-GE3SIR414DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.4 W |
| Pd-功率耗散 | 5.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4750pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 117nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR414DP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 102 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SIR414DP-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
