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Datasheet下载- 型号： SIR412DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SIR412DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR412DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR412DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR412DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 20A（Tc） 3.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR412DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR412DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR412DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR412DP-T1-GE3SIR412DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 15.6 W |
| Pd-功率耗散 | 15.6 W |
| Qg-GateCharge | 10.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V to 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V to 2.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR412DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 15.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 10 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 33 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR412DP-GE3 |
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