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Datasheet下载- 型号： SIR401DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR401DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR401DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR401DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 50A（Tc） 5W（Ta），39W（Tc） 。您可以下载SIR401DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR401DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIR401DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和开关的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压电路中，作为主开关器件，提供高效的功率转换。 - 开关电源（SMPS）：在开关模式电源中用作功率开关，适用于笔记本电脑适配器、电视电源等设备。 - 负载开关：用于动态控制电路中的电流流动，保护下游电路免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，实现电机的启动、停止和速度控制。 - 在H桥或半桥电路中，作为功率开关控制电机的正反转。 3. 电池管理系统（BMS） - 在锂电池或铅酸电池的充放电保护电路中，用作充电路径控制或放电保护开关。 - 实现过流保护、短路保护等功能，确保电池的安全运行。 4. 消费电子 - 应用于智能手机、平板电脑、便携式设备中的电源管理模块。 - 用于USB充电接口的过流保护和快速充电功能。 5. 通信设备 - 在路由器、交换机和其他网络设备中，用于电源分配和信号切换。 - 作为功率开关，支持高效的电源管理和热插拔功能。 6. 工业应用 - 在工业自动化设备中，用于控制继电器、电磁阀或其他负载。 - 用于太阳能逆变器中的功率转换模块，提高能量传输效率。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功耗，提高系统效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 高电流能力：支持大功率负载，满足多种应用场景需求。 综上，SIR401DP-T1-GE3凭借其优异的性能，适用于各种需要高效功率转换和开关控制的应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 50 A |
| Id-连续漏极电流 | - 50 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR401DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR401DP-T1-GE3SIR401DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 39 W |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| Qg-GateCharge | 310 nC |
| Qg-栅极电荷 | 310 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.5 V |
| 上升时间 | 130 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9080pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 310nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 300 ns |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 77 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR401DP-GE3 |
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