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SIR158DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR158DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR158DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR158DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR158DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR158DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR158DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有低导通电阻和高开关速度,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 SIR158DP-T1-GE3常用于各种电源管理系统中,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率。在这些应用中,MOSFET作为开关元件,能够快速切换电源状态,确保高效的能量传输。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中,SIR158DP-T1-GE3可以用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流波动,并且具备良好的热稳定性,适合应用于小型直流电机、步进电机等设备的驱动电路中。 3. 电池管理系统 该型号MOSFET可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制。通过精确控制充电和放电电流,防止过充或过放,保护电池的安全性和延长使用寿命。其低导通电阻有助于降低功耗,提高系统的整体效率。 4. 负载开关 SIR158DP-T1-GE3可作为负载开关使用,用于控制电路中的负载通断。它能够在短时间内快速响应,确保负载在需要时立即接通或断开,广泛应用于消费电子、工业自动化等领域。 5. 逆变器与变频器 在逆变器和变频器中,SIR158DP-T1-GE3可以用于将直流电转换为交流电,或者调节输出频率和电压。其高开关速度和低损耗特性使得它非常适合用于高频逆变器和变频器的设计中。 6. 通信设备 在通信设备中,如路由器、交换机等,SIR158DP-T1-GE3可用于电源管理和信号处理电路中,确保设备在高效、稳定的状态下运行。 总之,SIR158DP-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合对效率和响应速度有较高要求的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SIR158DP-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4980pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.8 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SIR158DP-T1-GE3TR |
功率-最大值 | 83W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |