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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIJ478DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIJ478DP-T1-GE3价格参考。VishaySIJ478DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 60A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIJ478DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIJ478DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIJ478DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:该MOSFET适用于各种DC-DC转换器,如降压、升压或升降压拓扑。它能够提供低导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗,提高转换效率。 - 线性稳压器:在低压差线性稳压器(LDO)中,SIJ478DP-T1-GE3可以用作旁路开关,帮助调节输出电压并降低功耗。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机(BLDC):在电机驱动应用中,MOSFET作为开关元件,用于控制电机绕组的电流方向和大小。SIJ478DP-T1-GE3的快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机效率,减少发热。 - 步进电机驱动:该器件也可用于步进电机驱动电路,特别是在需要高精度位置控制的应用中。 3. 电池管理系统(BMS) - 电池保护电路:在锂电池或其他可充电电池的保护电路中,MOSFET用于防止过充、过放、短路等异常情况。SIJ478DP-T1-GE3的低导通电阻有助于减少电池的自放电和温升。 - 电池均衡:在多节电池串联的系统中,MOSFET可以用于电池均衡电路,确保每节电池的电压保持一致,延长电池寿命。 4. 负载开关 - 便携式设备:在智能手机、平板电脑等便携式设备中,MOSFET用作负载开关,控制不同功能模块的供电状态。SIJ478DP-T1-GE3的低导通电阻和小封装尺寸使其非常适合这些应用。 - 汽车电子:在汽车电子系统中,MOSFET用于控制各种负载的供电,如车灯、电动座椅、空调等,确保系统的可靠性和安全性。 5. 逆变器和UPS - 光伏逆变器:在太阳能光伏发电系统中,MOSFET用于将直流电转换为交流电。SIJ478DP-T1-GE3的高效开关特性有助于提高逆变器的整体效率。 - 不间断电源(UPS):在UPS系统中,MOSFET用于切换主电源和备用电池之间的供电路径,确保电力供应的连续性。 6. 其他应用 - 音频放大器:在D类音频放大器中,MOSFET作为开关元件,用于生成PWM信号,驱动扬声器。SIJ478DP-T1-GE3的快速开关速度有助于提高音频质量。 - 工业自动化:在工业控制系统中,MOSFET用于控制各种执行器和传感器的供电,确保系统的稳定运行。 总之,SIJ478DP-T1-GE3凭借其低导通电阻、快速开关速度和可靠性,成为多种功率管理和控制应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SIJ478DP-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1855pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SIJ478DP-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 62.5W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |