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  • 型号: SIHW47N60E-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHW47N60E-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHW47N60E-GE3价格参考¥34.56-¥68.52。VishaySIHW47N60E-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIHW47N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHW47N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247ADMOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

47 A

Id-连续漏极电流

47 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHW47N60E-GE3-

数据手册

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产品型号

SIHW47N60E-GE3

Pd-PowerDissipation

357 W

Pd-功率耗散

357 W

Qg-GateCharge

220 nC

Qg-栅极电荷

220 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

64 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

64 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

4 V

Vgs-栅源极击穿电压

4 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

25 ns

下降时间

26 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9620pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

220nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

64 毫欧 @ 24A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AD

其它名称

SIHW47N60E-GE3CT
SIHW47N60E-GE3CT-ND

典型关闭延迟时间

140 ns

功率-最大值

357W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

商标名

E-Series

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3 整包

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

正向跨导-最小值

6.8 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

47A (Tc)

系列

E

配置

Single

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