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  • 型号: SIHP24N65E-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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SIHP24N65E-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP24N65E-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP24N65E-E3价格参考。VishaySIHP24N65E-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 24A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB。您可以下载SIHP24N65E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHP24N65E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 24A TO220ABMOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

24 A

Id-连续漏极电流

24 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHP24N65E-E3-

数据手册

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产品型号

SiHP24N65E-E3SIHP24N65E-E3

Pd-PowerDissipation

250 W

Pd-功率耗散

250 W

Qg-GateCharge

81 nC

Qg-栅极电荷

81 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

145 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

145 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2740pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

122nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

145 毫欧 @ 12A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

SIHP24N65EE3

功率-最大值

250W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

正向跨导-最小值

7.1 S

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

24A (Tc)

系列

E

配置

Single

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