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SIHP24N65E-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP24N65E-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP24N65E-E3价格参考。VishaySIHP24N65E-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 24A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB。您可以下载SIHP24N65E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHP24N65E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 650V 24A TO220ABMOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
Id-连续漏极电流 | 24 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHP24N65E-E3- |
数据手册 | |
产品型号 | SiHP24N65E-E3SIHP24N65E-E3 |
Pd-PowerDissipation | 250 W |
Pd-功率耗散 | 250 W |
Qg-GateCharge | 81 nC |
Qg-栅极电荷 | 81 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 145 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2740pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 122nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 145 毫欧 @ 12A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | SIHP24N65EE3 |
功率-最大值 | 250W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
正向跨导-最小值 | 7.1 S |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24A (Tc) |
系列 | E |
配置 | Single |