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型号： SIHP12N65E-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP12N65E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP12N65E-GE3价格参考。VishaySIHP12N65E-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB。您可以下载SIHP12N65E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHP12N65E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SIHP12N65E-GE3 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET，广泛应用于高功率、高频和高温等严苛环境下的电力电子系统中。其主要应用场景包括：

 1. 工业电源
   在工业电源领域，SIHP12N65E-GE3 由于其低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高电源转换效率，减少能量损耗。它适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等设备，尤其适合需要高效能和高可靠性的场合。

 2. 电动汽车（EV）及充电站
   碳化硅 MOSFET 的高频开关特性和耐高温性能使其成为电动汽车驱动系统和充电桩的理想选择。它可以用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器以及电机控制器中，帮助提升充电速度并降低能耗。

 3. 光伏逆变器
   在太阳能光伏发电系统中，逆变器是将直流电转换为交流电的关键部件。SIHP12N65E-GE3 的高效开关特性可以提高逆变器的工作效率，减少热损耗，延长设备寿命，并且在高温环境下仍能保持稳定工作。

 4. 风力发电
   风力发电机中的变流器负责将风轮机产生的电能转换为电网可用的形式。碳化硅 MOSFET 的高频开关能力可以提高变流器的响应速度和效率，尤其是在极端温度条件下，确保系统的可靠运行。

 5. 航空航天与军事
   碳化硅 MOSFET 具有出色的抗辐射能力和耐高温性能，因此在航空航天和军事应用中表现出色。它可以用于卫星电源系统、雷达设备以及其他对可靠性要求极高的场合。

 6. 通信基站
   在通信基站中，电源模块需要高效且稳定的运行。SIHP12N65E-GE3 的低损耗和高频率特性使得它能够在基站的电源管理系统中发挥重要作用，特别是在高温和高湿度环境下。

总之，SIHP12N65E-GE3 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于各种高功率密度、高频和高温的应用场景，特别适合那些对效率和稳定性有严格要求的领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SIHP12N65E-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1224pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	70nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	380 毫欧 @ 6A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	SIHP12N65E-GE3CT
功率-最大值	156W
包装	剪切带（CT）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A （Tc）