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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP12N65E-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP12N65E-GE3价格参考。VishaySIHP12N65E-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB。您可以下载SIHP12N65E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHP12N65E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHP12N65E-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于需要高电压和低导通电阻的应用场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 SIHP12N65E-GE3 可用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器等。它能够承受高达 650V 的漏源极电压(VDS),适用于高压环境下的功率转换应用。其低导通电阻(RDS(on))特性有助于减少能量损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,MOSFET 起到开关的作用,控制电机的启动、停止和速度调节。SIHP12N65E-GE3 的高耐压和快速开关能力使其非常适合用于工业自动化设备、电动工具、家电等领域的电机控制系统。 3. 太阳能逆变器 太阳能逆变器是将直流电转换为交流电的关键设备,MOSFET 在其中起到开关和功率调节的作用。SIHP12N65E-GE3 的高耐压特性和低导通电阻使得它能够在逆变器中高效工作,确保太阳能系统的稳定运行并提高能源转换效率。 4. 不间断电源(UPS) 不间断电源系统需要可靠的功率器件来确保在市电中断时能够迅速切换到备用电源。SIHP12N65E-GE3 的高可靠性和快速响应时间使其成为 UPS 系统中理想的功率开关元件。 5. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV) 在电动汽车和混合动力汽车中,MOSFET 用于电池管理系统、电机驱动、充电电路等关键部分。SIHP12N65E-GE3 的高耐压和低损耗特性使其能够在这些高压环境中稳定工作,确保车辆的安全性和能效。 6. LED 驱动器 在 LED 照明应用中,MOSFET 用于调节电流和电压,确保 LED 的亮度和寿命。SIHP12N65E-GE3 的低导通电阻有助于减少发热,延长 LED 灯具的使用寿命。 总之,SIHP12N65E-GE3 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于各种电力电子设备中,尤其是在需要高效功率转换和控制的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SIHP12N65E-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1224pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 6A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | SIHP12N65E-GE3CT |
功率-最大值 | 156W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |