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Datasheet下载- 型号： SIHG47N60E-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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SIHG47N60E-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG47N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG47N60E-GE3价格参考。VishaySIHG47N60E-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AC。您可以下载SIHG47N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHG47N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247ACMOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 47 A |
| Id-连续漏极电流 | 47 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91474 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHG47N60E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHG47N60E-GE3SIHG47N60E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 357 W |
| Pd-功率耗散 | 357 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 64 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 64 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9620pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 220nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 64 毫欧 @ 24A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 功率-最大值 | 357W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tc） |
| 系列 | SIHxxxN60x |
| 配置 | Single |
