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  • 型号: SIHG30N60E-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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SIHG30N60E-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG30N60E-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG30N60E-E3价格参考。VishaySIHG30N60E-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 29A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC。您可以下载SIHG30N60E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHG30N60E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SIHG30N60E-E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2600pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

130nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

125 毫欧 @ 15A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391

供应商器件封装

TO-247AC

其它名称

SIHG30N60EE3

功率-最大值

250W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

29A (Tc)

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