Datasheet下载- 型号： SIHG22N60E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG22N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG22N60E-GE3价格参考。VishaySIHG22N60E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHG22N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHG22N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHG22N60E-GE3是一款高性能的MOSFET晶体管，属于增强型N沟道MOSFET。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）： SIHG22N60E-GE3适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。其高耐压（600V）和低导通电阻（Rds(on) = 0.45Ω @ Vgs=10V）使其能够在高频开关条件下保持高效能。 2. 电机驱动： 该器件可用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动应用中。其高击穿电压和低导通损耗特性有助于提高电机驱动效率并减少发热。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器或UPS（不间断电源）系统中，SIHG22N60E-GE3可以作为主开关器件使用，支持高效的能量转换过程。其快速开关能力和低栅极电荷（Qg = 48nC典型值）有助于降低开关损耗。 4. 负载切换与保护： 该MOSFET适合用于负载切换电路，例如电池管理系统（BMS）中的充放电控制、过流保护和短路保护等场景。其坚固的设计能够承受瞬态电压冲击。 5. 工业自动化设备： 在工业控制领域，这款MOSFET可应用于继电器替代方案、电磁阀驱动以及传感器信号调理电路中，提供可靠且高效的开关性能。 总之，SIHG22N60E-GE3凭借其优异的电气特性和稳定性，广泛应用于需要高电压、低损耗及快速开关能力的各种电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 1.92 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247ACMOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHG22N60E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHG22N60E-GE3SIHG22N60E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 227 W |
| Pd-功率耗散 | 227 W |
| Qg-GateCharge | 86 nC |
| Qg-栅极电荷 | 86 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 54 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1920pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 典型关闭延迟时间 | 59 ns |
| 功率-最大值 | 227W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 180 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 6.4 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 21 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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