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SIHG20N50C-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG20N50C-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG20N50C-E3价格参考¥11.35-¥19.67。VishaySIHG20N50C-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC。您可以下载SIHG20N50C-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHG20N50C-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHG20N50C-E3是一款增强型N沟道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其应用场景广泛,尤其适用于高电压、高效率和低损耗的应用。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS):SIHG20N50C-E3具有500V的漏源击穿电压(VDS),使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它能够承受高电压波动,确保电路稳定运行,并且其低导通电阻(RDS(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动:在工业自动化和消费电子领域中,电机驱动器需要高效的开关元件来控制电机的启动、停止和调速。SIHG20N50C-E3的快速开关特性和低导通电阻使其成为电机驱动的理想选择,尤其是在高压环境下的应用。 3. 逆变器:太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器需要高性能的MOSFET来实现直流到交流的转换。SIHG20N50C-E3的高耐压和低损耗特性使其能够在逆变器中发挥重要作用,确保高效的能量转换和稳定的输出。 4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,MOSFET用于电池充放电管理以及主电源与备用电源之间的切换。SIHG20N50C-E3的高可靠性和低导通电阻可以提高UPS系统的效率和响应速度,确保在断电情况下提供持续稳定的电力供应。 5. 汽车电子:随着电动汽车和混合动力汽车的发展,车载充电器、DC-DC转换器等高压应用对MOSFET的要求越来越高。SIHG20N50C-E3的高耐压和低损耗特性使其成为汽车电子系统中不可或缺的组件,能够承受严苛的工作环境并提供可靠的性能。 6. 家电和消费电子产品:如空调、洗衣机等家用电器中,MOSFET用于控制压缩机、风扇等部件的运行。SIHG20N50C-E3的高效能和可靠性使其在这些应用中表现出色,帮助提升产品的整体性能和用户体验。 总之,SIHG20N50C-E3凭借其出色的电气特性,广泛应用于各种高电压、高效率的电力电子设备中,确保系统在复杂工作环境下稳定、高效地运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO247MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHG20N50C-E3- |
数据手册 | |
产品型号 | SIHG20N50C-E3SIHG20N50C-E3 |
Pd-PowerDissipation | 292 W |
Pd-功率耗散 | 292 W |
Qg-GateCharge | 65 nC |
Qg-栅极电荷 | 65 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 225 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 225 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 27 ns |
下降时间 | 44 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2942pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 76nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 10A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247AC |
其它名称 | SIHG20N50CE3 |
典型关闭延迟时间 | 32 ns |
功率-最大值 | 250W |
包装 | 散装 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 500 |
正向跨导-最小值 | 6.4 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/SiHx.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
系列 | E |