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  • 型号: SIHG20N50C-E3
  • 制造商: Vishay
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SIHG20N50C-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG20N50C-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG20N50C-E3价格参考¥11.35-¥19.67。VishaySIHG20N50C-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC。您可以下载SIHG20N50C-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHG20N50C-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SIHG20N50C-E3是一款增强型N沟道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其应用场景广泛,尤其适用于高电压、高效率和低损耗的应用。以下是该型号的主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS):SIHG20N50C-E3具有500V的漏源击穿电压(VDS),使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它能够承受高电压波动,确保电路稳定运行,并且其低导通电阻(RDS(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率。

2. 电机驱动:在工业自动化和消费电子领域中,电机驱动器需要高效的开关元件来控制电机的启动、停止和调速。SIHG20N50C-E3的快速开关特性和低导通电阻使其成为电机驱动的理想选择,尤其是在高压环境下的应用。

3. 逆变器:太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器需要高性能的MOSFET来实现直流到交流的转换。SIHG20N50C-E3的高耐压和低损耗特性使其能够在逆变器中发挥重要作用,确保高效的能量转换和稳定的输出。

4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,MOSFET用于电池充放电管理以及主电源与备用电源之间的切换。SIHG20N50C-E3的高可靠性和低导通电阻可以提高UPS系统的效率和响应速度,确保在断电情况下提供持续稳定的电力供应。

5. 汽车电子:随着电动汽车和混合动力汽车的发展,车载充电器、DC-DC转换器等高压应用对MOSFET的要求越来越高。SIHG20N50C-E3的高耐压和低损耗特性使其成为汽车电子系统中不可或缺的组件,能够承受严苛的工作环境并提供可靠的性能。

6. 家电和消费电子产品:如空调、洗衣机等家用电器中,MOSFET用于控制压缩机、风扇等部件的运行。SIHG20N50C-E3的高效能和可靠性使其在这些应用中表现出色,帮助提升产品的整体性能和用户体验。

总之,SIHG20N50C-E3凭借其出色的电气特性,广泛应用于各种高电压、高效率的电力电子设备中,确保系统在复杂工作环境下稳定、高效地运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 20A TO247MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHG20N50C-E3-

数据手册

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产品型号

SIHG20N50C-E3SIHG20N50C-E3

Pd-PowerDissipation

292 W

Pd-功率耗散

292 W

Qg-GateCharge

65 nC

Qg-栅极电荷

65 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

225 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

225 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

27 ns

下降时间

44 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2942pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

76nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

270 毫欧 @ 10A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AC

其它名称

SIHG20N50CE3

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

250W

包装

散装

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

标准包装

500

正向跨导-最小值

6.4 S

漏源极电压(Vdss)

500V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/SiHx.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

系列

E

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