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Datasheet下载- 型号： SIHF5N50D-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SIHF5N50D-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHF5N50D-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHF5N50D-E3价格参考。VishaySIHF5N50D-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 500V 5.3A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack。您可以下载SIHF5N50D-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHF5N50D-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPKMOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHF5N50D-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHF5N50D-E3SIHF5N50D-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 整包 |
| 其它名称 | SIHF5N50D-E3CT |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.5 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 5.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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