ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIHF12N65E-GE3
Datasheet下载- 型号： SIHF12N65E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHF12N65E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHF12N65E-GE3价格参考。VishaySIHF12N65E-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包。您可以下载SIHF12N65E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHF12N65E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHF12N65E-GE3是一款高性能的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体属于增强型N沟道MOSFET。该型号具有以下主要特性： 1. 高电压耐受：其漏源极击穿电压（VDS）为650V，适用于高压应用场景。 2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻（RDS(on)）较低，有助于减少功率损耗。 3. 快速开关速度：具备快速的开关特性，适合高频开关应用。 4. 温度范围广：工作温度范围宽泛，从-55°C到+175°C，适应多种环境条件。 应用场景 1. 电源管理： - 用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电路中，作为主开关或同步整流元件。其高电压和低导通电阻特性使得它非常适合于高效能电源设计。 2. 电机驱动与控制： - 在工业自动化设备、家用电器（如空调、冰箱）以及电动工具中的电机控制系统中，该MOSFET可以实现精确的速度控制和节能效果。 3. 逆变器和太阳能系统： - 在光伏逆变器和其他类型的电力逆变器中，该器件可用于处理直流到交流的转换过程，确保高效的能量传输并降低热损失。 4. 电池管理系统（BMS）： - 在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）及便携式电子产品的电池保护电路中，它能够提供可靠的过流保护和充放电控制功能。 5. 照明系统： - 在LED驱动器和其他类型的高效照明解决方案中，此MOSFET有助于提高系统的整体效率，并支持调光等功能。 总之，SIHF12N65E-GE3因其出色的电气性能和广泛的适用性，在众多需要高效、稳定电力转换和控制的应用领域中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHF12N65E-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1224pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 整包 |
| 功率-最大值 | 33W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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