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Datasheet下载- 型号： SIE810DF-T1-E3
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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SIE810DF-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIE810DF-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIE810DF-T1-E3价格参考。VishaySIE810DF-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK®（L）。您可以下载SIE810DF-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIE810DF-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SIE810DF-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 毫欧 @ 25A, 10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（L） |
| 其它名称 | SIE810DF-T1-E3CT |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（L） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/PolarPAK_N.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
