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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SIE808DF-T1-E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8800pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 155nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 毫欧 @ 25A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | 10-PolarPAK®(L) |
其它名称 | SIE808DF-T1-E3CT |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 10-PolarPAK®(L) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/PolarPAK_N.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |