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SIA921EDJ-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA921EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA921EDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA921EDJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 4.5A 7.8W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双。您可以下载SIA921EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA921EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6MOSFET -20V 59mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.5 A |
Id-连续漏极电流 | - 4.5 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA921EDJ-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIA921EDJ-T1-GE3SIA921EDJ-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 7.8 W |
Pd-功率耗散 | 7.8 W |
Qg-GateCharge | 4.9 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.9 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 59 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 59 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.4 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 59 毫欧 @ 3.6A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
其它名称 | SIA921EDJ-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
功率-最大值 | 7.8W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 Dual |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 11 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SIA921EDJ-GE3 |