ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > SIA921EDJ-T1-GE3
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SIA921EDJ-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA921EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA921EDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA921EDJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 4.5A 7.8W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双。您可以下载SIA921EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA921EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIA921EDJ-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 SIA921EDJ-T1-GE3 常用于电源管理系统中,特别是在需要高效开关和低功耗的场合。例如,在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的电源适配器中,该器件可以用于 DC-DC 转换器,以实现高效的电压调节。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高整体效率。 2. 负载开关 在消费电子和工业控制设备中,SIA921EDJ-T1-GE3 可作为负载开关使用。它能够快速响应负载变化,确保电流平稳传输,同时保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。例如,在 USB 充电接口中,MOSFET 阵列可以控制充电电流的通断,确保安全充电。 3. 电机驱动 该器件也适用于小型电机驱动应用,如无人机、机器人和智能家居设备中的电机控制。通过精确控制 MOSFET 的开关状态,可以实现对电机转速和方向的高效控制。SIA921EDJ-T1-GE3 的低导通电阻和快速开关特性有助于提高电机驱动系统的效率和响应速度。 4. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,SIA921EDJ-T1-GE3 可用于电池充放电的控制。它可以有效地管理和保护电池组,防止过充、过放和短路等问题。此外,该器件的低静态电流特性也有助于延长电池寿命。 5. 信号切换 在通信设备和音频系统中,SIA921EDJ-T1-GE3 可用于信号切换。它可以在不同的信号路径之间进行快速切换,确保信号传输的稳定性和可靠性。例如,在多通道音频放大器中,MOSFET 阵列可以用于选择不同的输入源或输出路径。 6. 汽车电子 在汽车电子领域,SIA921EDJ-T1-GE3 可用于车身控制系统、车载信息娱乐系统和电动助力转向系统等。它能够在高温环境下保持稳定的性能,并提供可靠的开关功能,确保车辆电子系统的正常运行。 总之,SIA921EDJ-T1-GE3 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的场景中,特别是在电源管理、电机驱动和电池管理系统等领域表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6MOSFET -20V 59mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.5 A |
Id-连续漏极电流 | - 4.5 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA921EDJ-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIA921EDJ-T1-GE3SIA921EDJ-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 7.8 W |
Pd-功率耗散 | 7.8 W |
Qg-GateCharge | 4.9 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.9 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 59 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 59 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.4 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 59 毫欧 @ 3.6A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
其它名称 | SIA921EDJ-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
功率-最大值 | 7.8W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 Dual |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 11 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SIA921EDJ-GE3 |