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  • 型号: SIA517DJ-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIA517DJ-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIA517DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA517DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA517DJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 12V 4.5A 6.5W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双。您可以下载SIA517DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA517DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SIA517DJ-T1-GE3是一款双N沟道MOSFET阵列,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于电源管理、信号切换以及各种工业和消费电子设备中的功率控制。

 应用场景

1. 电源管理:
   - DC-DC转换器:SIA517DJ-T1-GE3可以用于降压或升压型DC-DC转换器中,作为主开关管或同步整流管,提高转换效率并减少发热。
   - 负载开关:在电源管理系统中,该MOSFET可以用作负载开关,实现对不同负载的快速响应和保护功能,如过流保护和短路保护。

2. 电机驱动:
   - 小型电机控制:在消费电子产品(如电动工具、家用电器等)中,该器件可以用于驱动小型直流电机或步进电机,提供高效的开关控制和精确的速度调节。
   - H桥电路:在H桥电路中,SIA517DJ-T1-GE3可以用于双向电机控制,通过改变栅极信号来实现电机的正反转。

3. 电池管理系统:
   - 电池充放电保护:在锂电池或其他可充电电池系统中,该MOSFET可以用作充放电路径的开关,确保电池在安全范围内工作,并防止过充或过放。
   - 多节电池均衡:在多节电池串联的系统中,SIA517DJ-T1-GE3可以用于电池均衡电路,通过调节各节电池的充放电电流,延长电池组的使用寿命。

4. 通信设备:
   - 电源切换:在通信基站、路由器等设备中,该MOSFET可以用于电源切换,确保在不同电源模式之间平稳过渡,避免电压波动对设备的影响。
   - 信号隔离:在高速通信接口中,SIA517DJ-T1-GE3可以用作信号隔离元件,防止信号干扰和噪声传播。

5. 消费电子产品:
   - 便携式设备:在智能手机、平板电脑等便携式设备中,该MOSFET可以用于电源管理和外围设备的控制,如USB端口的供电控制。
   - 音频设备:在音频放大器中,SIA517DJ-T1-GE3可以用作输出级的开关管,提供高效且低失真的音频信号放大。

总之,SIA517DJ-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种需要高效功率控制和信号切换的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6MOSFET 12V 4.5A 6.5W 29/61mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

4.5 A

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiA517DJ-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SiA517DJ-T1-GE3SIA517DJ-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

6.5 W

Pd-功率耗散

6.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

24 mOhms, 50 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

24 mOhms, 50 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vds-漏源极击穿电压

12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

10 ns, 25 ns

下降时间

10 ns, 25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

500pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

29 毫欧 @ 5A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SC-70-6 双

其它名称

SIA517DJ-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

22 ns, 30 ns

功率-最大值

6.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SC-70-6 双

封装/箱体

PowerPAK SC-70-6 Dual

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SIA517DJ-GE3

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