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SIA517DJ-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA517DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA517DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA517DJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 12V 4.5A 6.5W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双。您可以下载SIA517DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA517DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIA517DJ-T1-GE3是一款双N沟道MOSFET阵列,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于电源管理、信号切换以及各种工业和消费电子设备中的功率控制。 应用场景 1. 电源管理: - DC-DC转换器:SIA517DJ-T1-GE3可以用于降压或升压型DC-DC转换器中,作为主开关管或同步整流管,提高转换效率并减少发热。 - 负载开关:在电源管理系统中,该MOSFET可以用作负载开关,实现对不同负载的快速响应和保护功能,如过流保护和短路保护。 2. 电机驱动: - 小型电机控制:在消费电子产品(如电动工具、家用电器等)中,该器件可以用于驱动小型直流电机或步进电机,提供高效的开关控制和精确的速度调节。 - H桥电路:在H桥电路中,SIA517DJ-T1-GE3可以用于双向电机控制,通过改变栅极信号来实现电机的正反转。 3. 电池管理系统: - 电池充放电保护:在锂电池或其他可充电电池系统中,该MOSFET可以用作充放电路径的开关,确保电池在安全范围内工作,并防止过充或过放。 - 多节电池均衡:在多节电池串联的系统中,SIA517DJ-T1-GE3可以用于电池均衡电路,通过调节各节电池的充放电电流,延长电池组的使用寿命。 4. 通信设备: - 电源切换:在通信基站、路由器等设备中,该MOSFET可以用于电源切换,确保在不同电源模式之间平稳过渡,避免电压波动对设备的影响。 - 信号隔离:在高速通信接口中,SIA517DJ-T1-GE3可以用作信号隔离元件,防止信号干扰和噪声传播。 5. 消费电子产品: - 便携式设备:在智能手机、平板电脑等便携式设备中,该MOSFET可以用于电源管理和外围设备的控制,如USB端口的供电控制。 - 音频设备:在音频放大器中,SIA517DJ-T1-GE3可以用作输出级的开关管,提供高效且低失真的音频信号放大。 总之,SIA517DJ-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种需要高效功率控制和信号切换的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6MOSFET 12V 4.5A 6.5W 29/61mohm @ 4.5V |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiA517DJ-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SiA517DJ-T1-GE3SIA517DJ-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 6.5 W |
Pd-功率耗散 | 6.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms, 50 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms, 50 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 10 ns, 25 ns |
下降时间 | 10 ns, 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 6V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 8V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 29 毫欧 @ 5A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
其它名称 | SIA517DJ-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 22 ns, 30 ns |
功率-最大值 | 6.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 Dual |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SIA517DJ-GE3 |