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  • 型号: SIA453EDJ-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIA453EDJ-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIA453EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA453EDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA453EDJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 24A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA453EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA453EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SIA453EDJ-T1-GE3是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流处理能力和快速开关速度,适用于多种工业、消费电子和汽车应用。

 应用场景:

1. 电源管理:
   - 直流-直流转换器(DC-DC Converter):用于电压调节和转换,特别是在笔记本电脑、服务器、通信设备等产品中,SIA453EDJ-T1-GE3可以提供高效的电源转换,减少能量损失。
   - 电池管理系统(BMS):在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备中,该MOSFET可用于电池充放电控制,确保电池的安全和稳定运行。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机(BLDC)驱动:在家电、电动工具和工业自动化设备中,MOSFET用于驱动电机,实现精确的速度和位置控制,提高系统效率。
   - 步进电机驱动:用于打印机、扫描仪等办公设备,提供稳定的电流输出,确保电机平稳运行。

3. 负载开关:
   - 智能开关:在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,MOSFET作为负载开关,用于快速切断或接通电源,保护电路免受过流、过压等异常情况的影响。
   - USB Type-C接口保护:用于USB PD(Power Delivery)应用,提供快速响应的过流保护功能,确保充电安全。

4. LED驱动:
   - 背光驱动:在液晶显示器(LCD)、LED电视等设备中,MOSFET用于控制LED背光的亮度和颜色,提供高效且稳定的电流输出。
   - 照明系统:在户外照明、汽车前大灯等应用中,MOSFET用于调光和电流调节,确保灯光的稳定性和可靠性。

5. 逆变器和变频器:
   - 太阳能逆变器:在光伏系统中,MOSFET用于将直流电转换为交流电,提高能源利用效率。
   - 空调和冰箱压缩机驱动:在家电中,MOSFET用于变频控制,降低能耗并提高性能。

总之,SIA453EDJ-T1-GE3凭借其优异的电气特性,广泛应用于各种需要高效功率管理和开关控制的场合,特别适合对能效和可靠性要求较高的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6MOSFET -30V .0185ohm@-10V -24A P-Ch T-FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

- 24 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA453EDJ-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIA453EDJ-T1-GE3SIA453EDJ-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

19 W

Pd-功率耗散

19 W

Qg-GateCharge

44 nC

Qg-栅极电荷

44 nC

RdsOn-漏源导通电阻

29 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.4 V

上升时间

45 ns

下降时间

28 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1900pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

66nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18.5 毫欧 @ 5A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SC-70-6 单

其它名称

SIA453EDJ-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

65 ns

功率-最大值

19W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFETr

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

29 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SC-70-6

封装/箱体

PowerPAK SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 50 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

22 S

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 24 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

24A (Tc)

配置

Single

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