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SIA453EDJ-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA453EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA453EDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA453EDJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 24A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA453EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA453EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIA453EDJ-T1-GE3是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流处理能力和快速开关速度,适用于多种工业、消费电子和汽车应用。 应用场景: 1. 电源管理: - 直流-直流转换器(DC-DC Converter):用于电压调节和转换,特别是在笔记本电脑、服务器、通信设备等产品中,SIA453EDJ-T1-GE3可以提供高效的电源转换,减少能量损失。 - 电池管理系统(BMS):在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备中,该MOSFET可用于电池充放电控制,确保电池的安全和稳定运行。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC)驱动:在家电、电动工具和工业自动化设备中,MOSFET用于驱动电机,实现精确的速度和位置控制,提高系统效率。 - 步进电机驱动:用于打印机、扫描仪等办公设备,提供稳定的电流输出,确保电机平稳运行。 3. 负载开关: - 智能开关:在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,MOSFET作为负载开关,用于快速切断或接通电源,保护电路免受过流、过压等异常情况的影响。 - USB Type-C接口保护:用于USB PD(Power Delivery)应用,提供快速响应的过流保护功能,确保充电安全。 4. LED驱动: - 背光驱动:在液晶显示器(LCD)、LED电视等设备中,MOSFET用于控制LED背光的亮度和颜色,提供高效且稳定的电流输出。 - 照明系统:在户外照明、汽车前大灯等应用中,MOSFET用于调光和电流调节,确保灯光的稳定性和可靠性。 5. 逆变器和变频器: - 太阳能逆变器:在光伏系统中,MOSFET用于将直流电转换为交流电,提高能源利用效率。 - 空调和冰箱压缩机驱动:在家电中,MOSFET用于变频控制,降低能耗并提高性能。 总之,SIA453EDJ-T1-GE3凭借其优异的电气特性,广泛应用于各种需要高效功率管理和开关控制的场合,特别适合对能效和可靠性要求较高的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6MOSFET -30V .0185ohm@-10V -24A P-Ch T-FET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | - 24 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA453EDJ-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIA453EDJ-T1-GE3SIA453EDJ-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 19 W |
Pd-功率耗散 | 19 W |
Qg-GateCharge | 44 nC |
Qg-栅极电荷 | 44 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.4 V |
上升时间 | 45 ns |
下降时间 | 28 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18.5 毫欧 @ 5A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
其它名称 | SIA453EDJ-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 65 ns |
功率-最大值 | 19W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFETr |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 29 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 50 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 22 S |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | - 24 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24A (Tc) |
配置 | Single |