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  • 型号: SIA431DJ-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIA431DJ-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIA431DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA431DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA431DJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA431DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA431DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 12 A

Id-连续漏极电流

- 12 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA431DJ-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SIA431DJ-T1-GE3SIA431DJ-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

19 W

Pd-功率耗散

19 W

Qg-GateCharge

60 nC

Qg-栅极电荷

60 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

70 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

70 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.85 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.85 V

上升时间

25 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

850mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1700pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

25 毫欧 @ 6.5A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SC-70-6 单

其它名称

SIA431DJ-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

65 ns

功率-最大值

19W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

70 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SC-70-6

封装/箱体

PowerPAK SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

31 S

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 12 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

系列

SIA4xxDJ

配置

Single

零件号别名

SIA431DJ-GE3

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