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Datasheet下载- 型号： SIA429DJT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SIA429DJT-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA429DJT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA429DJT-T1-GE3价格参考。VishaySIA429DJT-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA429DJT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA429DJT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| Ciss-输入电容 | 1.75 nF |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70MOSFET P-Channel 20 V (D-S) |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA429DJT-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA429DJT-T1-GE3SIA429DJT-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| Qg-栅极电荷 | 41 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1750pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20.5 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA429DJT-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | SIA4xxDJ |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIA429DJT-GE3 |
