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SIA421DJ-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA421DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA421DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA421DJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA421DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA421DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIA421DJ-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电力电子场景中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - SIA421DJ-T1-GE3的低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。例如,在DC-DC转换器、AC-DC适配器或充电器中,该器件可以高效地控制电流的开断,降低能量损耗。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动电路中,这款MOSFET可以用作功率级开关。它的高电流承载能力和低导通损耗有助于提高电机驱动效率,并减少发热。 3. 电池管理 - 该MOSFET适用于电池保护电路和充放电管理系统。例如,在锂离子电池组中,它可以作为负载开关或过流保护元件,确保电池在安全范围内运行。 4. 负载开关 - 在消费电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,SIA421DJ-T1-GE3可以用作负载开关,动态控制不同模块的供电状态,从而实现节能和延长电池寿命。 5. 逆变器和UPS系统 - 在小型逆变器或不间断电源(UPS)中,这款MOSFET可用于逆变电路或输出滤波电路,提供稳定的交流输出。 6. LED驱动 - 对于大功率LED照明应用,该MOSFET可以用作恒流驱动电路中的开关元件,精确控制LED的亮度和工作电流。 7. 信号切换 - 在需要高频信号切换的场合(如音频放大器或通信设备),SIA421DJ-T1-GE3的低栅极电荷和快速开关速度能够保证信号的准确传输。 总结 SIA421DJ-T1-GE3凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于各种需要高效功率转换和控制的场景。无论是消费电子产品、工业设备还是汽车电子领域,这款MOSFET都能提供稳定且高效的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.9 A |
Id-连续漏极电流 | 7.9 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA421DJ-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIA421DJ-T1-GE3SIA421DJ-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
Pd-功率耗散 | 3.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 110 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 5.3A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
其它名称 | SIA421DJ-T1-GE3TR |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 19W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 15 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/SC70.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
系列 | SIA4xxDJ |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SIA421DJ-GE3 |