ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIA418DJ-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIA418DJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA418DJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA418DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA418DJ-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA418DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA418DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SIA418DJ-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的双通道、高速光耦合器，广泛应用于需要电气隔离的信号传输场景。它具有高共模抑制能力和良好的抗干扰性能，能够在工业、通信和消费电子等领域中提供可靠的信号隔离与传输。 应用场景： 1. 工业自动化： - 在工业控制系统中，SIA418DJ-T1-GE3 可用于隔离传感器信号、开关信号或控制信号，确保系统在恶劣环境下稳定运行。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中，该器件可以隔离输入输出信号，防止外界干扰影响系统的正常工作。 2. 电力系统： - 电力设备如变频器、逆变器等需要对高压侧和低压侧进行电气隔离。SIA418DJ-T1-GE3 可以有效隔离这些电路，确保安全性和可靠性。特别是在智能电网和光伏逆变器中，该器件能够隔离电流检测信号，保护后端电路免受高压冲击。 3. 通信设备： - 在通信基站、网络交换机等设备中，信号隔离是确保数据传输可靠性的关键。SIA418DJ-T1-GE3 可以用于隔离数字信号，避免不同电位之间的干扰，确保通信链路的稳定性。 4. 医疗设备： - 医疗设备如心电图仪、监护仪等需要对患者进行实时监测，同时保证设备与人体之间的电气隔离。SIA418DJ-T1-GE3 可以用于隔离传感器信号，确保患者的安全并提高设备的抗干扰能力。 5. 消费电子产品： - 在一些高端消费电子产品中，如智能家居控制器、智能家电等，SIA418DJ-T1-GE3 可以用于隔离控制信号，确保设备在复杂电磁环境中稳定工作。此外，它还可以用于隔离电源管理电路，防止电压波动对敏感电路的影响。 6. 汽车电子： - 在汽车电子系统中，SIA418DJ-T1-GE3 可以用于隔离车载网络中的信号传输，如CAN总线、LIN总线等，确保信号的可靠性和安全性。它还可以用于隔离电池管理系统中的电流和电压检测信号，保护车辆的电气系统。 总之，SIA418DJ-T1-GE3 凭借其优异的电气隔离性能和高速响应特性，适用于多种需要信号隔离的应用场景，尤其是在对可靠性要求较高的工业、电力、通信和医疗领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA418DJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA418DJ-T1-GE3SIA418DJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.4 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 2.4 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA418DJ-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | SIA4xxDJ |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIA418DJ-GE3 |
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