ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIA416DJ-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIA416DJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA416DJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA416DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA416DJ-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 11.3A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA416DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA416DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIA416DJ-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：该MOSFET常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断，降低功耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在电动工具、家电、工业自动化等领域，SIA416DJ-T1-GE3可用于驱动直流电机或步进电机。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少发热，提升系统的可靠性和能效。 3. 电池保护电路：该器件适用于锂离子电池组的保护电路，防止过充、过放及短路等问题。通过快速响应和低损耗特性，确保电池的安全性和使用寿命。 4. 负载切换与保护：在汽车电子、消费电子产品中，SIA416DJ-T1-GE3可用于实现负载的智能切换与保护功能。例如，在USB充电器、无线充电器等设备中，它可以作为功率路径管理的关键组件。 5. 信号调理：在一些通信设备或传感器接口中，该MOSFET可以用作模拟开关或缓冲器，对信号进行放大、隔离或滤波处理。 总之，SIA416DJ-T1-GE3凭借其出色的电气性能和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择。它不仅能满足高频率、大电流的工作需求，还能有效降低系统成本并提高整体性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6LMOSFET 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA416DJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA416DJ-T1-GE3SIA416DJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| Qg-栅极电荷 | 3.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 83 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 83 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 3 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 295pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 83 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA416DJ-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET Power MOSFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-100v-trenchfet/3148 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.3A （Tc） |
| 系列 | SIA4xxDJ |
| 配置 | Single |
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