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  • 型号: SIA415DJ-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIA415DJ-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIA415DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA415DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA415DJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA415DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA415DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的SIA415DJ-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):该MOSFET适用于各种开关模式电源设计,如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性可以有效降低功耗,提高效率。
   - 负载开关:在便携式设备中,SIA415DJ-T1-GE3可以用作负载开关,控制电路的供电状态,实现快速开启和关闭。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于消费电子、家用电器中的小型电机驱动,例如风扇、泵或玩具电机。
   - H桥电路:在需要双向控制的电机应用中,这款MOSFET可以作为H桥的一部分,用于正反转控制。

 3. 电池管理系统
   - 电池保护:在锂电池或可充电电池组中,该MOSFET可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流的功能。
   - 电量监测:通过精确控制电流流动,支持电池电量的实时监测和管理。

 4. 信号切换
   - 高速信号切换:由于其较低的栅极电荷和快速开关速度,SIA415DJ-T1-GE3适合用于高频信号切换场景,例如音频信号处理或数据通信接口。

 5. 汽车电子
   - 车身控制模块:在汽车电子系统中,该MOSFET可用于控制车灯、雨刷、座椅调节等功能。
   - 辅助电源:为车载信息娱乐系统、导航设备等提供稳定的电源输出。

 6. 工业自动化
   - 传感器接口:用于工业传感器的电源管理和信号切换,确保高效运行。
   - 继电器替代:在某些低电压、低电流的应用中,可以用MOSFET代替传统机械继电器,以减少磨损并提高可靠性。

 总结
SIA415DJ-T1-GE3凭借其优异的电气性能(如低Rds(on)、高耐压、快速开关能力),广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及通信设备等领域。其紧凑的封装形式(TO-252/DPAK)也使其非常适合空间受限的设计环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A

Id-连续漏极电流

12 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?69512

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA415DJ-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SIA415DJ-T1-GE3SIA415DJ-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

19 W

Pd-功率耗散

19 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

35 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

35 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

50 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1250pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

47nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

35 毫欧 @ 5.6A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SC-70-6 单

其它名称

SIA415DJ-T1-GE3TR
SIA415DJT1GE3

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

19W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SC-70-6

封装/箱体

PowerPAK SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

20 S

漏源极电压(Vdss)

20V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/SC70.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

系列

SIA4xxDJ

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SIA415DJ-GE3

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