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SIA414DJ-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA414DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA414DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA414DJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 8V 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA414DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA414DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA414DJ-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIA414DJ-T1-GE3SIA414DJ-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
Pd-功率耗散 | 3.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 8 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 5 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 5 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 4V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 9.7A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
其它名称 | SIA414DJ-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 65 ns |
功率-最大值 | 19W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 11 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 50 S |
汲极/源极击穿电压 | 8 V |
漏极连续电流 | 12 A |
漏源极电压(Vdss) | 8V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/MOSFET.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
系列 | SIA4xxDJ |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SIA414DJ-GE3 |