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型号： SI9926BDY-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI9926BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9926BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI9926BDY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 6.2A 1.14W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI9926BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9926BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI9926BDY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   - 负载开关：用于控制设备的电源通断，实现低导通电阻（Rds(on)）以减少功率损耗。
   - 电池保护：在便携式设备中保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。
   - DC-DC转换器：作为同步整流器或开关元件，提高效率并降低热损耗。

 2. 信号切换
   - 音频信号切换：在音频设备中切换不同的输入或输出信号源，确保低失真和高保真度。
   - 数据信号切换：用于 USB、UART 或其他高速数据接口的信号路径切换，支持高频应用。

 3. 电机驱动
   - 小型电机控制：适用于玩具、风扇或其他低功率电机的启动、停止和速度调节。
   - H桥电路：构建双向电机驱动电路，实现正转和反转功能。

 4. 保护电路
   - 过流保护：通过检测电流大小，快速切断电路以防止损坏。
   - 短路保护：利用 MOSFET 的快速响应特性，保护系统免受短路影响。

 5. 消费类电子产品
   - 智能手机和平板电脑：用于电源管理和信号切换。
   - 笔记本电脑配件：如充电器、扩展坞中的负载开关和保护电路。
   - 智能家居设备：如智能灯泡、插座中的电源控制和信号切换。

 6. 工业应用
   - 传感器接口：用于工业自动化设备中的信号隔离和切换。
   - 通信模块：在无线通信模块中实现高效电源管理和信号路由。

 特性优势
- 低导通电阻：典型值为 8.7 mΩ（Vgs = 4.5V），有助于降低功耗。
- 小封装尺寸：采用 TSSOP-8 封装，适合空间受限的设计。
- 高工作频率：支持高频开关应用，满足现代电子设备的需求。

综上，SI9926BDY-T1-GE3 适用于需要高效、紧凑和可靠解决方案的各种电子设备中，特别是在电源管理、信号切换和保护电路领域表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI9926BDY-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	20nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	20 毫欧 @ 8.2A，4.5V
供应商器件封装	8-SO
功率-最大值	1.14W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6.2A