Datasheet下载- 型号： SI9435BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9435BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9435BDY-T1-E3价格参考￥1.64-￥1.99。VishaySI9435BDY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI9435BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9435BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI9435BDY-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET可用于降压或升压DC-DC转换器中的开关元件，以实现高效的电压转换。 - 负载开关：在需要动态控制电路通断的应用中，如便携式设备、USB充电器等，SI9435BDY-T1-E3可用作负载开关。 - 电池管理系统 (BMS)：用于保护电池组免受过流、短路和过充的影响。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于低功率直流电机的驱动和速度控制，例如风扇、泵或家用电器中的电机。 - H桥电路：在双极性电机控制中，作为H桥的一部分来实现正转和反转功能。 3. 信号切换 - 在音频或视频信号切换中，用作模拟开关，提供低导通电阻以减少信号失真。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，在电流过大时快速关断，保护下游电路。 - 反向电流保护：防止电源极性接反导致的损坏。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理模块，支持高效能耗控制。 - 笔记本电脑适配器：作为功率开关，提高能源转换效率。 6. 工业应用 - 传感器接口：为传感器供电并隔离可能的干扰源。 - 继电器替代品：在高频开关场合下，MOSFET可以代替传统机械继电器，降低功耗和噪声。 特点总结 SI9435BDY-T1-E3具有较低的导通电阻（典型值为1.8mΩ）、高击穿电压（30V）以及优秀的开关性能，适合要求高效率、小尺寸和低热损耗的设计。这些特性使其成为现代电子产品中不可或缺的组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOICMOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72245 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI9435BDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI9435BDY-T1-E3SI9435BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 42 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI9435BDY-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI9435BDY-E3 |
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