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  • 型号: SI8489EDB-T2-E1
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI8489EDB-T2-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8489EDB-T2-E1价格参考。VishaySI8489EDB-T2-E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8489EDB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8489EDB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V MICROFOOTMOSFET -20V 44mOhm@10V 5.4A P-Ch G-III

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 700 mA

Id-连续漏极电流

- 700 mA

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8489EDB-T2-E1TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI8489EDB-T2-E1SI8489EDB-T2-E1

Pd-PowerDissipation

0.3 W to 0.9 W

Pd-功率耗散

900 mW

Qg-GateCharge

9.5 nC

Qg-栅极电荷

9.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

44 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

44 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.5 V to - 1.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.5 V to - 1.2 V

上升时间

20 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

765pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

44 毫欧 @ 1.5A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-Microfoot

其它名称

SI8489EDB-T2-E1DKR

典型关闭延迟时间

50 ns

功率-最大值

780mW

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

商标名

MICROFOOT TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

4-UFBGA

封装/箱体

Micro Foot-4 1x1

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

10 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

-

配置

Single

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