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  • 型号: SI8472DB-T2-E1
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI8472DB-T2-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8472DB-T2-E1价格参考。VishaySI8472DB-T2-E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8472DB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8472DB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 20V 3.3A MICROMOSFET 20V 4.5A 1.8W 44mOhms @ 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.5 A

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8472DB-T2-E1TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI8472DB-T2-E1SI8472DB-T2-E1

Pd-PowerDissipation

1.8 W

Pd-功率耗散

1.8 W

Qg-GateCharge

6.8 nC

Qg-栅极电荷

6.8 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

44 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

44 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

630pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

44 毫欧 @ 1.5A, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-Micro Foot™

功率-最大值

780mW

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-UFBGA

封装/箱体

Micro Foot-4 1x1

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

-

配置

Single

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