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Datasheet下载- 型号： SI8461DB-T2-E1
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8461DB-T2-E1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8461DB-T2-E1价格参考。VishaySI8461DB-T2-E1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 780mW（Ta），1.8W（Tc） 4-Microfoot。您可以下载SI8461DB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI8461DB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI8461DB-T2-E1 是一款由 Silicon Labs 生产的隔离式栅极驱动器，主要应用于需要高可靠性、高性能和电气隔离的场合。该器件采用电容耦合技术，提供高达 5 kVrms 的隔离电压，适用于工业、汽车和通信领域中的各种应用场景。 主要应用场景： 1. 电机驱动： 在工业自动化和电动汽车中，电机驱动系统需要高效的功率转换和控制。SI8461DB-T2-E1 可用于驱动 IGBT 或 MOSFET 等功率开关器件，确保信号传输的可靠性和安全性。其快速的传播延迟和低抖动特性有助于提高系统的响应速度和效率。 2. 电源管理： 在电源管理系统中，尤其是 DC-DC 转换器和逆变器中，隔离式栅极驱动器可以有效防止高压侧和低压侧之间的电气干扰。SI8461DB-T2-E1 提供了出色的电气隔离性能，确保电源系统的稳定运行，同时保护敏感的控制电路免受高压冲击。 3. 光伏逆变器： 光伏逆变器是太阳能发电系统的核心组件之一，要求高可靠性和长寿命。SI8461DB-T2-E1 的高隔离电压和抗干扰能力使其成为光伏逆变器的理想选择，能够在恶劣环境下保持稳定的性能，延长设备的使用寿命。 4. 智能电网： 智能电网中的电力电子设备需要高效且可靠的通信和控制。SI8461DB-T2-E1 可用于智能电表、配电自动化等场景，提供安全的信号隔离，确保数据传输的准确性和实时性。 5. 医疗设备： 医疗设备对安全性和可靠性有极高的要求。SI8461DB-T2-E1 的高隔离特性可以有效防止患者与设备之间的电气危险，广泛应用于超声设备、X 射线机等医疗仪器中。 总之，SI8461DB-T2-E1 凭借其优异的隔离性能和可靠性，适用于多种高要求的应用场景，能够显著提升系统的安全性和稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V MICROFOOTMOSFET 20V 3.7A 1.8W 100mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8461DB-T2-E1TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8461DB-T2-E1SI8461DB-T2-E1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | 9.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 136 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 136 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 610pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 其它名称 | SI8461DB-T2-E1DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 780mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 封装/箱体 | Micro Foot-4 1x1 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 配置 | Single |
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