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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8461DB-T2-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8461DB-T2-E1价格参考。VishaySI8461DB-T2-E1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot。您可以下载SI8461DB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8461DB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 20V MICROFOOTMOSFET 20V 3.7A 1.8W 100mohm @ 4.5V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.7 A |
Id-连续漏极电流 | - 3.7 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8461DB-T2-E1TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI8461DB-T2-E1SI8461DB-T2-E1 |
Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
Pd-功率耗散 | 1.8 W |
Qg-GateCharge | 9.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 136 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 136 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 610pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 8V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 4-Microfoot |
其它名称 | SI8461DB-T2-E1DKR |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 780mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 4-XFBGA,CSPBGA |
封装/箱体 | Micro Foot-4 1x1 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 7 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
配置 | Single |