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  • 型号: SI8435DB-T1-E1
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI8435DB-T1-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8435DB-T1-E1价格参考。VishaySI8435DB-T1-E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8435DB-T1-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8435DB-T1-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI8435DB-T1-E1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1600pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

41 毫欧 @ 1A,4.5V

供应商器件封装

4-Microfoot

其它名称

SI8435DB-T1-E1DKR

功率-最大值

6.25W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

4-XFBGA,CSPBGA

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

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