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型号： SI8425DB-T1-E1
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SI8425DB-T1-E1产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI8425DB-T1-E1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8425DB-T1-E1价格参考。VishaySI8425DB-T1-E1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 20V 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-WLCSP（1.6x1.6）。您可以下载SI8425DB-T1-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI8425DB-T1-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
Ciss-输入电容	2.8 nF
描述	MOSFET P-CH 20V MICROFOOTMOSFET -20V 23mOhm@4.5V 9.3A P-Ch G-III
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	- 9.3 A
Id-连续漏极电流	- 9.3 A
品牌	Vishay SiliconixVishay / Siliconix
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8425DB-T1-E1TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SI8425DB-T1-E1SI8425DB-T1-E1
Pd-PowerDissipation	2.7 W
Pd-功率耗散	2.7 W
Qg-GateCharge	110 nC
Qg-栅极电荷	110 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	23 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	23 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 20 V
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	- 0.9 V
Vgs-栅源极击穿电压	10 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	- 0.9 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 900 mV
上升时间	50 ns
下降时间	200 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	900mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2800pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	110nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	23 毫欧 @ 2A， 4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	4-WLCSP （1.6x1.6）
其它名称	SI8425DB-T1-E1CT
典型关闭延迟时间	600 ns
功率-最大值	1.1W
包装	剪切带（CT）
商标	Vishay / Siliconix
商标名	MICROFOOT TrenchFET
安装类型	*
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	4-UFBGA，WLCSP
封装/箱体	Micro Foot-4 1.6x1.6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	18 S
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	-
配置	Single