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SI8409DB-T1-E1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8409DB-T1-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8409DB-T1-E1价格参考。VishaySI8409DB-T1-E1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 4.6A(Ta) 1.47W(Ta) 4-Microfoot。您可以下载SI8409DB-T1-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8409DB-T1-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI8409DB-T1-E1是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要用于高效能开关和电源管理应用。其应用场景广泛,尤其适用于需要低导通电阻、快速开关速度和高可靠性的电路设计。 1. 电源管理 SI8409DB-T1-E1常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中。它能够提供高效的电流切换,减少功率损耗,从而提高整个系统的能效。特别是在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中,该MOSFET可以帮助延长电池寿命。 2. 电机控制 在电机驱动电路中,MOSFET作为开关元件,控制电机的启动、停止和调速。SI8409DB-T1-E1具有较低的导通电阻,能够减少发热,提升电机控制的精度和响应速度。适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等小型电机控制系统。 3. 负载开关 该器件还广泛应用于负载开关电路中,用于保护系统免受过流、短路等故障的影响。通过快速切断电源供应,它可以有效防止下游电路受损,确保系统的安全性和稳定性。例如,在USB充电接口、硬盘驱动器等设备中,负载开关是必不可少的保护机制。 4. 信号调理 在某些信号调理电路中,MOSFET可以用作模拟开关或缓冲器。SI8409DB-T1-E1的低电容特性使得它在高频信号处理中表现出色,适用于音频放大器、传感器接口等场合。 5. 汽车电子 在汽车电子领域,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、车身控制模块(BCM)等,SI8409DB-T1-E1凭借其宽工作温度范围和高可靠性,成为理想的开关元件选择。 总之,SI8409DB-T1-E1以其出色的电气性能和可靠性,在各种电子设备中扮演着关键角色,特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的应用场景中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFPMOSFET 30V 5.3A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.6 A |
Id-连续漏极电流 | - 3.6 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8409DB-T1-E1TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI8409DB-T1-E1SI8409DB-T1-E1 |
Pd-PowerDissipation | 1.47 W |
Pd-功率耗散 | 1.47 W |
Qg-GateCharge | 17 nC |
Qg-栅极电荷 | 17 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.052 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.052 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 46 毫欧 @ 1A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 4-Microfoot |
其它名称 | SI8409DB-T1-E1CT |
典型关闭延迟时间 | 140 ns |
功率-最大值 | 1.47W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET/MICRO FOOT |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 4-XFBGA,CSPBGA |
封装/箱体 | Micro Foot-4 2x2 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 6.4 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.6A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
零件号别名 | SI8409DB-E1 |