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  • 型号: SI8409DB-T1-E1
  • 制造商: Vishay
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SI8409DB-T1-E1产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI8409DB-T1-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8409DB-T1-E1价格参考。VishaySI8409DB-T1-E1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 4.6A(Ta) 1.47W(Ta) 4-Microfoot。您可以下载SI8409DB-T1-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8409DB-T1-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI8409DB-T1-E1是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要用于高效能开关和电源管理应用。其应用场景广泛,尤其适用于需要低导通电阻、快速开关速度和高可靠性的电路设计。

 1. 电源管理
SI8409DB-T1-E1常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中。它能够提供高效的电流切换,减少功率损耗,从而提高整个系统的能效。特别是在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中,该MOSFET可以帮助延长电池寿命。

 2. 电机控制
在电机驱动电路中,MOSFET作为开关元件,控制电机的启动、停止和调速。SI8409DB-T1-E1具有较低的导通电阻,能够减少发热,提升电机控制的精度和响应速度。适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等小型电机控制系统。

 3. 负载开关
该器件还广泛应用于负载开关电路中,用于保护系统免受过流、短路等故障的影响。通过快速切断电源供应,它可以有效防止下游电路受损,确保系统的安全性和稳定性。例如,在USB充电接口、硬盘驱动器等设备中,负载开关是必不可少的保护机制。

 4. 信号调理
在某些信号调理电路中,MOSFET可以用作模拟开关或缓冲器。SI8409DB-T1-E1的低电容特性使得它在高频信号处理中表现出色,适用于音频放大器、传感器接口等场合。

 5. 汽车电子
在汽车电子领域,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、车身控制模块(BCM)等,SI8409DB-T1-E1凭借其宽工作温度范围和高可靠性,成为理想的开关元件选择。

总之,SI8409DB-T1-E1以其出色的电气性能和可靠性,在各种电子设备中扮演着关键角色,特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的应用场景中表现尤为突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFPMOSFET 30V 5.3A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 3.6 A

Id-连续漏极电流

- 3.6 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8409DB-T1-E1TrenchFET®

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产品型号

SI8409DB-T1-E1SI8409DB-T1-E1

Pd-PowerDissipation

1.47 W

Pd-功率耗散

1.47 W

Qg-GateCharge

17 nC

Qg-栅极电荷

17 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.052 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.052 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

35 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

46 毫欧 @ 1A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-Microfoot

其它名称

SI8409DB-T1-E1CT

典型关闭延迟时间

140 ns

功率-最大值

1.47W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET/MICRO FOOT

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

4-XFBGA,CSPBGA

封装/箱体

Micro Foot-4 2x2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

6.4 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.6A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

零件号别名

SI8409DB-E1

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