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SI7998DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7998DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7998DP-T1-GE3价格参考¥5.31-¥11.01。VishaySI7998DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 25A,30A 22W,40W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7998DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7998DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7998DP-T1-GE3是一款双通道N沟道MOSFET阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 该器件适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和负载开关等应用。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效减少功率损耗,提高效率。 - 在电池管理系统(BMS)中,可用于控制充电/放电路径或保护电路。 2. 电机驱动 - SI7998DP-T1-GE3适合小型直流电机或步进电机的驱动。通过PWM信号控制,能够实现电机的速度调节和方向切换。 - 其双通道设计允许同时驱动两个独立的电机或用于H桥配置。 3. 负载切换与保护 - 可用作负载开关,控制不同负载的通断状态。例如,在消费电子产品中,用于管理USB端口、传感器或其他外设的供电。 - 提供过流保护功能,防止因短路或过载损坏下游电路。 4. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中,作为模拟开关使用,切换不同的信号路径。 - 特别适合音频信号切换、视频信号路由或数据总线隔离。 5. 便携式设备 - 针对手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备,该MOSFET阵列因其小尺寸(采用TSSOP封装)和低功耗特性而备受青睐。 - 可用于优化设备的续航时间并节省空间。 6. 通信与网络设备 - 在路由器、交换机和基站中,用于电源分配、信号路由和热插拔保护。 7. 工业自动化 - 在PLC模块、继电器替代方案或工业控制器中,实现高效、可靠的开关操作。 总结 SI7998DP-T1-GE3凭借其低导通电阻、高电流能力和紧凑封装,非常适合需要高性能和小体积的应用场景。无论是消费类电子还是工业领域,这款MOSFET阵列都能提供稳定且高效的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
Id-连续漏极电流 | 15 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7998DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7998DP-T1-GE3SI7998DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 3.6 W, 4 W |
Pd-功率耗散 | 3.6 W, 4 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 15 ns, 17 ns |
下降时间 | 12 ns, 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.3 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
其它名称 | SI7998DP-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 22 ns, 35 ns |
功率-最大值 | 22W,40W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A,30A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual Dual Drain |
零件号别名 | SI7998DP-GE3 |