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  • 型号: SI7998DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7998DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7998DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7998DP-T1-GE3价格参考¥5.31-¥11.01。VishaySI7998DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 25A,30A 22W,40W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7998DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7998DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI7998DP-T1-GE3是一款双通道N沟道MOSFET阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 该器件适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和负载开关等应用。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效减少功率损耗,提高效率。
   - 在电池管理系统(BMS)中,可用于控制充电/放电路径或保护电路。

 2. 电机驱动
   - SI7998DP-T1-GE3适合小型直流电机或步进电机的驱动。通过PWM信号控制,能够实现电机的速度调节和方向切换。
   - 其双通道设计允许同时驱动两个独立的电机或用于H桥配置。

 3. 负载切换与保护
   - 可用作负载开关,控制不同负载的通断状态。例如,在消费电子产品中,用于管理USB端口、传感器或其他外设的供电。
   - 提供过流保护功能,防止因短路或过载损坏下游电路。

 4. 信号切换
   - 在多路复用器或多路选择器中,作为模拟开关使用,切换不同的信号路径。
   - 特别适合音频信号切换、视频信号路由或数据总线隔离。

 5. 便携式设备
   - 针对手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备,该MOSFET阵列因其小尺寸(采用TSSOP封装)和低功耗特性而备受青睐。
   - 可用于优化设备的续航时间并节省空间。

 6. 通信与网络设备
   - 在路由器、交换机和基站中,用于电源分配、信号路由和热插拔保护。

 7. 工业自动化
   - 在PLC模块、继电器替代方案或工业控制器中,实现高效、可靠的开关操作。

 总结
SI7998DP-T1-GE3凭借其低导通电阻、高电流能力和紧凑封装,非常适合需要高性能和小体积的应用场景。无论是消费类电子还是工业领域,这款MOSFET阵列都能提供稳定且高效的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

15 A

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7998DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI7998DP-T1-GE3SI7998DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

3.6 W, 4 W

Pd-功率耗散

3.6 W, 4 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

9.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

15 ns, 17 ns

下降时间

12 ns, 10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1100pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9.3 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8 Dual

其它名称

SI7998DP-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

22 ns, 35 ns

功率-最大值

22W,40W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8 双

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A,30A

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

零件号别名

SI7998DP-GE3

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