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  • 型号: SI7958DP-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI7958DP-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7958DP-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7958DP-T1-E3价格参考。VishaySI7958DP-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7958DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7958DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S)

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-连续漏极电流

7.2 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7958DP-T1-E3TrenchFET®

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产品型号

SI7958DP-T1-E3SI7958DP-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.4 W

Pd-功率耗散

1.4 W

RdsOn-漏源导通电阻

16.5 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

17 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

75nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16.5 毫欧 @ 11.3A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8 Dual

其它名称

SI7958DP-T1-E3DKR

典型关闭延迟时间

66 ns

功率-最大值

1.4W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

16.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8 双

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

7.2 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.2A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI7958DP-E3

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